Во глобальной паутине показались подробности о чипсетах Qualcomm Snapdragon 823, 828 и 830, каковые станут развитием идей заложенных в Snapdragon 820. Причем ожидается, что Qualcomm Snapdragon 823 будет представлен уже в текущем квартале.

Технически Snapdragon 823 будет во многом подобен Snapdragon 820. В частности в нем будут употребляться такой же графический сопроцессор Adreno 530 и LTE-модем с помощью Cat12/Cat13. Количество процессорных ядер 4, но ядра Kryo 100 будут трудиться на повышенной частоте. Кроме этого упоминается о помощи этим чипом Quick Charge 3.0, как у предшественника. Выпускаться Snapdragon 823 будет по нормам 14 нм технологического процесса LPP.

Первыми смартфонами на базе Snapdragon 823 смогут стать Samsung Galaxy Note 6 и Xiaomi Mi Note 2.

Snapdragon 828 будет выпускаться по более узкой технологии – источник утверждает о 10 нм техпроцессе FF. О количестве процессорных ядер не сообщается, но согласно данным источником в Snapdragon 828 на смену Kryo 100 придут Kryo 200, а его графический сопроцессор будет выстроен на чипе Adreno 519. Помощь LTE-сетей – Cat.12/13. Тип памяти – LPDDR4X.

Ожидаемая дата анонса Snapdragon 828 – 4 квартал этого года.

Топовый Snapdragon 830 кроме этого будет выстроен на ядрах Kryo 200 (количество не уточняется), но будет оснащен графическим сопроцессором Adreno 540, а большая скорость LTE-подключения составит 980 Мбит/с. Анонс этого чипа ожидается в последних месяцах года, а первые аппараты на его базе – только в 2017 году.

© Антон Печеровый, MForum.ru , по данным gizmochina.com